王占国
半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同-缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As／GaAs，In(Ga)As／InAlAs／InP等量子点(线)．与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。
1995年当选为中国科学院院士。
梁骏吾
半导体材料学家。1933年9月出生于武汉。1955年毕业于武汉大学。1956-1960年在苏联科学院治金研究所从事高纯半导体硅单晶研究、1960年获副博士学位。1960-1970年在中国科学院半导体研究所从事高纯区熔硅单品、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，1970-1978年在宜昌半导体厂从事半导体集成电路的研制和生产。1978年至今，在中国科学院半导体研究大规模集成电路用硅单品、掺氮中子
变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOVPE AICaAs/CaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为。近年来主要研究领域为SiC外延生长和CaN基材料的生长。1985年被聘为研究员、博士生导师。1990年获国家级有突出贡献中青年专家称号。中国电子学会理事、中国材料研究学会理事。中国电子学会电子材料分会主任。华中理工大学、武汉大学、河北工业大学、上海同济大学兼职教授。
顾真安
顾真安院士现任中国建筑材料科学研究院技术顾问。他深入系统地研究了稀土元素在石英玻璃和 光导纤维中的光谱和非线性光学特性，率先有中国开展化学气相沉积掺杂（DCVD）、溶液掺杂和
氢氧焰熔制-电熔拉管两步法工艺技术的研究工作，完成了20多项国家科研任务。他研制成功超 低膨胀石英玻璃、耐辐照石英玻璃、掺铈石英玻璃、滤紫外石英玻璃、“三七”工程用石英玻璃
和稀土石英光学纤维等一批具有国际先进水平的新材料，为激光，电子、兵器、航天等重点工程 提供了一批关键材料，获得显著社会、经济效益。顾真安院士有10项成果获国家或部级科枝奖
励。在他的组织领导下，制订我国石英玻璃工业科技发展规划、产业政策和国家标准，指导重点 企业产品质量保证体系的建设，建立了我国唯一的石枣玻璃研究机构和国家石英玻璃制品质量监
督检验中心，促进了中国石英玻璃工业的发展.
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