夏建白
研究员,中国科学院院士。1939年7月生，1956年9月至1962年9月就读于北京大学物理系理论物理专业,1962年9月至1965年9月在北京大学物理系读研究生,师从世界著名物理学家黄昆教授。他是中国科学院物理学家。主要研究领域为半导体和半导体超晶格、微结构理论,在该领域创造性地提出了一系列的理论,其中包括：1、国际上首先提出了量子球空穴态的张量模型,得到了正确的光跃迁选择定则；2、国际上首次提出了介观系统的一维量子波导理论，得到了一维介观系统中波函数的两个基本方程，类似于电路的克希霍夫定律；3、国际上首先提出了（11N）衬底超晶格的有效质量理论；4、国际上首先从理论上研究了空穴共振隧穿现象，发现了在隧穿过程中轻、重空穴互相转化的结果；5、国际上首次提出了计算超晶格电子结构的有限平面波展开方法,利用赝势理论研究了长周期超晶格的电子结构，解决了平面波方法不能用于计算大元胞晶体电子态的困难。解决了GaAs/AlAs短周期超晶格的Gama-X能级交叉问题，澄清了理论与实验的矛盾。6、著有“半导体超晶格物理”（与朱邦芬合著）和“现代半导体物理学”两本专著。他共发表论文75篇，其中第一作者47篇，SCI收录57篇，SCI引用（他引）共426篇。他获得了1989年中国科学院自然科学一等奖：“超晶格电子态理论”(研究者：夏建白，黄昆，朱邦芬，汤蕙)。1993年国家自然科学二等奖：“半导体超晶格的电子态和声子模理论”(研究者：黄昆，朱邦芬，夏建白)。1998年中国科学院自然科学奖一等奖：“半导体微结构的电子态和有关的物理性质”（研究者：夏建白）。他和朱邦芬合著的“半导体超晶格物理”一书获得1998年“第八届全国优秀科技图书一等奖”和“第三届国家图书奖提名奖”。

王启明
光电子学家。福建晋江人。1956年毕业于复旦大学物理系。中国科学院半导体研究所研究员、所长。参与筹建中国半导体测试基地，建立了一系列材料测试系统。1963年开始致力于半导体光电子学研究，在中国首先研制成连续激射的室温半导体激光器，先后使短波长和长波长激光器寿命突破10万小时，达到实用水平。发现了双异质结构激光器中出现反常自脉动、正向负阻开关和记忆开关等现象，提出了双光丝Ｑ开关机制，界面态载流子陷落存贮机制以及自掺杂反向击穿机制等，为深入研究提供了理论基础。研制成量子阱激光器、调制器和光双稳激光器及开关器件，对发展光信息处理、光开关、光交换技术以及新一代光电子器件做出了贡献。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。

王守觉
半导体电子学家。原籍江苏苏州，生于上海。1949年毕业于上海同济大学。中国科学院半导体研究所研究员。1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，并在109工厂进行小批量生产，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959－1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶体管。1974年成功地用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版。1976年起从事新电路的探讨，提出了一种新的多值与连续逻辑高速电路——多元逻辑电路，并试用于整机。1979年后主要从事多值与连续逻辑电路系统的研究及使之应用于生产实际中。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。