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半导体材料 |
| 硅单晶、硅切磨片、硅抛光片 |
直径/公差(mm):76.2-150 /±0.1
型号: P、N
晶向:<111> <100> <110>
掺杂剂 / 电阻率范围 (Ohm-cm):
砷(As)/ 0.001-0.004
锑(Sb)/ 0.007-0.02
硼(B) /0.001-50
磷(P)/ 0.0007-60
碳含量(at cm-3):≤2×1016
氧含量公差(at cm-3):±1×1017
氧含量径向变化:≤5%
铁含量(at cm-3):≤2×1010
背面处理:损伤吸杂处理\生长多晶\生长二氧化硅
总厚度变化(μm):≤8
平整度(μm):≤3
翘曲度(μm):≤30
表面颗粒(粒/片):<10(颗粒直径>0.2μm) |
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上海合晶硅材料有限公司
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