专业调研报告 （Professional Investigation and Research) 2008版化合物半导体砷化镓材料行业调研报告 完成时间：2007年7月 文字版价格：4800元 电子版价格：5000元 报告页数：108页 联系电话：010-64476901，64476902 E-mail：cem@c-e-m.com 　　砷化镓（GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比，它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。砷化镓除在I C产品应用以外，也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长，制作成光电元件。还可与太阳能结合制备砷化镓太阳能电池。 　　作为通信、微电子、光电子等领域基础材料的GaAs材料，世界上其晶体生长技术和器件制作技术已较成熟，应用领域不断扩，随着手机市场、WLAN市场的发展，预计2008年GaAs仍将保持平稳快速的发展。 　　本报告分为十一部分，分别从对GaAs产品的特点、品种、市场，以及世界及我国GaAs材料生产厂家、发展前景、市场现状、下游生产企业现状、技术发展趋势、投资分析、发展GaAs材料产业的建议等，都进行了全面、详细的综述。 　　报告编写的内容、数据、资料等方面，是基于2007版本的基础上，通过深入、广泛的调研以及反复、大量的统计工作的积累上而产生的。因此，它对于海内外有意向建立、发展GaAs材料企业的投资者来说，对于有愿望对整个GaAs材料产业的现状及发展趋势要加深了解、认识的经营者来说，对于GaAs材料下游产品从业者来说，都是一份有很高价值的参考文献。 该报告的提纲内容如下: 第一章 砷化镓产品简介 第二章 砷化镓产业关联度分析 2.1 集成电路产业 2.2 太阳能产业 2.3 半导体照明产业 第三章 砷化镓材料的特性及应用 3.1 砷化镓材料的主要特性 3.2 砷化镓材料与硅材料的特性对比 3.3 砷化镓应用 第四章 砷化镓材料的分类 4.1 按照应用领域不同分类 4.2 按照工艺方法不同的分类 第五章 砷化镓单晶、芯片以及外延片工艺技术 5.1 砷化镓晶体生长 5.1.1 各种砷化镓单晶制备工艺法概述 5.1.2 水平布里奇曼法（HB） 5.1.3 液封直拉法（LEC） 5.1.4 温度梯度凝固法（VGF） 5.1.5 蒸气压控制直拉法（VCZ） 5.1.6 国内外技术质量水平对照 5.2 砷化镓芯片的加工 5.3 砷化镓外延片的加工 5.3.1 砷化镓外延片的工艺法 5.3.2 对砷化镓外延材料的性能要求 第六章 砷化镓材料市场 6.1 世界半导体化合物市场 6.2 砷化镓单晶及晶圆片市场 6.3 砷化镓外延片市场 6.4 砷化镓芯片市场 6.5 砷化镓IC市场 第七章 全球砷化镓单晶材料产业状况及生产 7.1 全球产业概况 7.2 日本砷化镓单晶材料产业及企业概况 7.3 美国砷化镓单晶材料产业及企业概况 7.4 台湾砷化镓单晶材料产业及企业概况 7.5 中国砷化镓单晶材料产业及企业概况 第八章 国内外砷化镓材料技术的发展 8.1 国外砷化镓材料技术的现状与发展 8.2 国内砷化镓材料技术现状及发展趋势 第九章 砷化镓器件及电路市场及产业 9.1 砷化镓器件及电路市场 9.2 砷化镓在集成电路领域的应用及市场现状 9.2.1 砷化镓集成电路器件市场总论 9.2.2 无线通讯市场需求 9.2.3 光通讯市场需求 9.2.4 无线局域网（WLAN）市场需求 9.2.5 汽车电子产品市场需求 9.2.6 军事电子产品市场需求 9.3 境外砷化镓集成电路产业现状 9.3.1 日、美砷化镓集成电路生产厂家 9.3.2 台湾砷化镓集成电路生产厂家 9.3.3 国内砷化镓集成电路生产厂家 9.4 砷化镓在光电子领域的应用及市场现状 9.4.1 砷化镓在LED方面应用 9.4.2 我国砷化镓在LED方面市场 9.4.3 我国LED的主要生产厂家情况 9.5 砷化镓太阳能生产 9.5.1 砷化镓太阳能概述 9.5.2 砷化镓太阳能技术发展 第十章 砷化镓单晶材料项目投资分析 10.1 产品、技术方案 10.2 主要设备 10.3 建设方案 10.4 投资资金及构成 10.5 财务经济分析 第十一章 中国砷化镓材料产业发展建议及战略发展思路 11.1 发展砷化镓材料政策资源 11.2 砷化镓材料产业发展特点 11.3 砷化镓材料产业特点 11.4 发展砷化镓材料产业的战略思路 图表目录: 图1-1：化合物半导体材料主要应用领域 图1-2：砷化镓单晶产品 图2-1：砷化镓IC器件制备过程 图2-2：2006～2010年我国集成电路市场需求预测 图2-3：2004-2010年太阳能电池发展预测 图2-4：白光照明产业链 图2-5：全球照明市场规模 图3-1：GaAs应用领域 图3-2：砷化镓器件的应用领域 图5-1：早期GaAs晶体生长方法 图5-2：HB法设各及炉温分布示意图 图5-3：LEC法单晶生长示意图 图5-4：VGF法装置示意图 图5-5：砷化镓单芯片切磨抛工艺流程图 图5-6：液相外延装置的示意图 图5-7：MBE装置的示意图 图5-8：分子束外延（MBE）设备 图5-9：MOCVD外延装置的示意图 图6-1：III-V族化合物半导体材料占化合物半导体材料百分比 图6-2：世界生产商6" GaAs产能 图7-2：2002年~2007年（上半年）日本化合物半导体单晶的销售额统计 图7-2：日本本国半导体化合物消耗量统计 图9-1：GaAs市场链 图9-2：GaAs全球市场发展 图9-3：GaAs器件应用市场 图9-4：1GbE与10GbE市场占有率 图9-5：WLAN IC市场 图9-6：WLAN 802.11技术演进 图9-7：全球WLAN芯片市场产值 图9-8：国内WLAN产量预测 图9-9：汽车雷达系统市场规模 图9-10：我国汽车雷达系统产量 图9-11：全球高亮度LED市场 图9-12： 全球高亮度LED材料市场概况及预测（2003~2008年） 图9-13：我国2006年间高亮度LED的应用市场结构 图9-14：砷化镓异质结太阳能电池结构 图9-15：砷化镓异质结太阳能电池制备过程 图10-1：VGF 砷化镓晶圆片工艺流程图 表3-1：砷化镓晶体特性 表3-2：GaAs晶体的物理特性 表3-3：GaAs材料与Si材料的特性比较 表3-4：砷化镓半导体的应用情况 表3-5：砷化镓在电子系统中的应用 表3-6：由砷化镓芯片制作的主要电子器件和光电子器件 表4-1：GaAs晶体生长的各种方法的分类 表5-1：GaAs单晶各种生长工艺方法优缺点的比较 表5-2：国内外技术水平对照 表5-3：砷化镓芯片制备主要工艺参数 表5-4：砷化镓的外延片特性 表5-5：GaAsIC技术与要求 表6-1：国外GaAs单晶、外延片的主要厂家采用工艺法的情况 表7-1：全球砷化镓产业链构成 表7-2：日本化合物半导体单晶的销售统计 表7-3：日本化合物半导体用途统计表 表7-4：国内主要砷化镓单晶生产厂家生产情况 表7-5：国内砷化镓单晶材料厂家的生产开发、生产情况 表9-1：日、美砷化镓IC生产厂家现状 表9-2：台湾砷化镓产业链条 表9-3：台湾砷化镓IC生产厂家概况 表9-4：LED产品分类 表9-5：可见光LED依发光颜色分类 表9-6：全球高亮度LED材料市场预测（2003-2008年） 表9-7：全球AlGaAs光电市场概况及预测（2003 ~ 2008年） 表9-8：砷化镓单结太阳能电池的结构和能带示意图 表9-9：Si与GaAs太阳能电池之比较 表10-1：项目总投资估算构成表 表10-2：主要原辅材料、动力、消耗指标表 表10-3：GaAs晶圆片项目总成本构成 表11-1：我国砷化镓材料发展战略 《2008版化合物半导体砷化镓材料行业调研报告》最新文字版价格为4800元。